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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Hydride Vapor Phase Epitaxy Growth of Semipolar, 10(1)over-bar(3)over-barGaN on Patterned m-Plane Sapphire 期刊论文 journal of the electrochemical society, 2010, 卷号: 157, 期号: 7, 页码: h721-h726 Wei TB (Wei T. B.); Hu Q (Hu Q.); Duan RF (Duan R. F.); Wei XC (Wei X. C.); Yang JK (Yang J. K.); Wang JX (Wang J. X.); Zeng YP (Zeng Y. P.); Wang GH (Wang G. H.); Li JM (Li J. M.) 收藏  |  浏览/下载：294/52  |  提交时间：2010/06/18 atomic force microscopy   Growth of (10(1)over-bar(3)over-bar) semipolar GaN on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 17, 页码: 4153-4157 作者:  Wei TB;  Wei XC;  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：85/6  |  提交时间：2010/03/08 HRXRD  PL  Stacking fault  HVPE  GaN  Semipolar   Micro-fabricated Al0.3Ga0.7As pyramids for potential SPM applications 会议论文 13th international conference on semiconducting and insulating materials (simc xiii), beijing, peoples r china, sep 20-25, 2004 Sun, J; Hu, LZ; Sun, YC; Wang, ZY 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2010/03/29 GROWTH   Liquid phase epitaxy of Al0.3Ga0.7As islands 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 1-2, 页码: 38-41 Sun, J; Hu, LZ; Sun, YC; Wang, ZY; Zhang, HZ 收藏  |  浏览/下载：425/56  |  提交时间：2010/03/09 crystal morphology