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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Characterization and analysis of two-dimensional GaAs-based photonic crystal nanocavities at room temperature 期刊论文 microelectronic engineering, 2010, 卷号: 87, 期号: 10, 页码: 1834-1837 Peng YS (Peng Y. S.); Xu B (Xu B.); Ye XL (Ye X. L.); Niu JB (Niu J. B.); Jia R (Jia R.); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：107/27  |  提交时间：2010/08/17 Photonic crystal nanocavities  Quantum dots  Cavity resonant mode  Room temperature   Combined transparent electrodes for high power GaN-based LEDs with long life time 会议论文 9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008 Wang, LC; Yi, XY; Wang, XD; Wang, GH; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/03/09 LIGHT-EMITTING-DIODES  EFFICIENCY   Study of infrared luminescence from Er-implanted GaN films 会议论文 international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003 Chen WD; Song SF; Zhu JJ; Wang XL; Chen CY; Hsu CC 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/11/15 doping  metalorganic chemical vapor deposition  molecular beam epitaxy  gallium compounds  semiconducting gallium compounds  ERBIUM   Influence of Mg content on molecular-beam-epitaxy-grown ZnMgS ultraviolet photodetectors 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 265, 期号: 1-2, 页码: 28-33 Lu, LW; Sou, IK; Ge, WK 收藏  |  浏览/下载：327/94  |  提交时间：2010/03/09 characterization   Effect on the optical properties and surface morphology of cubic GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition using isoelectronic indium surfactant doping 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 235, 期号: 1-4, 页码: 207-211 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：94/4  |  提交时间：2010/08/12 crystal morphology  doping  surface structure  metalorgamc chemical vapor deposition  nitrides  semiconducting III-V materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHASE EPITAXY  FILMS  CATHODOLUMINESCENCE   X-Ray diffraction determination of the fractions of hexagonal and twinned phases in cubic GaN layers grown on (001)GaAs substrate 期刊论文 thin solid films, 2001, 卷号: 392, 期号: 1, 页码: 29-33 Qu B; Zheng XH; Wang YT; Feng ZH; Liu SA; Lin SM; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：103/13  |  提交时间：2010/08/12 gallium nitride  X-ray diffraction  EPITAXY  RATIO