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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Competition between band gap and yellow luminescence in undoped GaN grown by MOVPE on sapphire substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 222, 期号: 1-2, 页码: 96-103 Xu HZ; Bell A; Wang ZG; Okada Y; Kawabe M; Harrison I; Foxon CT 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12 gallium nitride  metalorganic vapor-phase epitaxy  photoluminescence  yellow luminescence  N-TYPE GAN  PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY  THIN-FILMS  DOPED GAN  DEEP LEVELS  ORIGIN  PHOTOLUMINESCENCE  DEPENDENCE  VACANCIES  EPITAXY   Temperature and excitation power dependence of the optical properties of InAs self-assembled quantum dots grown between two Al0.5Ga0.5As confining layers 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 210, 期号: 4, 页码: 451-457 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/08/12 InAs quantum dots  molecular beam epitaxy  photoluminescence  LINE-SHAPE