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科研机构
半导体研究所 [8]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2012 [1]
2011 [1]
2006 [1]
2000 [3]
1993 [1]
1991 [1]
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学科主题
半导体材料 [8]
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学科主题:半导体材料
内容类型:期刊论文
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Comparative characteristics of yttrium oxide and yttrium nitric acid doping in ZnO varistor ceramics
期刊论文
journal of central south university, 2012, 卷号: 19, 期号: 8, 页码: 2094-2100
Xu D (Xu Dong)
;
Tang DM (Tang Dong-mei)
;
Jiao L (Jiao Lei)
;
Yuan HM (Yuan Hong-ming)
;
Zhao GP (Zhao Guo-ping)
;
Cheng XN (Cheng Xiao-nong)
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2013/04/02
Cathodoluminescence of Yellow and Blue Luminescence in Undoped Semi-insulating GaN and n-GaN
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: article no.37102
Hou QF
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yang CB
;
Yin HB
;
Li JM
;
Wang ZG
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浏览/下载:42/4
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提交时间:2011/07/05
EPITAXIAL LAYERS
PHOTOLUMINESCENCE
ABSORPTION
CARBON
BAND
Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD
期刊论文
journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 14-18
Fang CB
;
Wang XL
;
Hu GX
;
Wang JX
;
Wang CM
;
Li JM
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/04/11
MOCVD
GaN
resistivity
TSC
N-TYPE GAN
DOPED GAN
SPECTROSCOPY
CARBON
FE
Influence of phosphine flow rate on Si growth rate in gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465
Gao F
;
Huang DD
;
Li JP
;
Lin YX
;
Kong MY
;
Sun DZ
;
Li JM
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/08/12
Si growth rate
P doping
PH3 flow rate
P segregation
GSMBE
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SI1-XGEX
PHOSPHORUS
SI2H6
DISILANE
SI(100)
MBE
Semi-insulating GaAs grown in outer space
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2000, 卷号: 75, 期号: 2-3, 页码: 134-138
Chen NF
;
Zhong XR
;
Lin LY
;
Xie X
;
Zhang M
收藏
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2010/08/12
GaAs
outer space
microgravity
integrated circuit
SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE
LEC-GAAS
DEFECTS
STOICHIOMETRY
SEGREGATION
CARBON
BORON
Point defects in III-V compound semiconductors
期刊论文
defects and diffusion in semiconductors, 2000, 卷号: 183-1, 期号: 0, 页码: 85-93
Chen N
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/08/12
compound semiconductors
point defects
deep level centres
stoichiometry
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS SINGLE-CRYSTALS
SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE
SEMI-INSULATING GAAS
ELECTRICAL-PROPERTIES
LATTICE-PARAMETER
NATIVE DEFECTS
CARBON
DIFFRACTOMETER
STOICHIOMETRY
EXCIMER-LASER DOPING OF SPIN-ON DOPANT IN SILICON
期刊论文
applied surface science, 1993, 卷号: 64, 期号: 3, 页码: 259-263
WONG YW
;
YANG XQ
;
CHAN PW
;
TONG KY
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/15
REACTIVE ATMOSPHERE
BORON
IRRADIATION
SEMICONDUCTORS
JUNCTIONS
SPECTROSCOPIC INVESTIGATION OF HYDROGEN-DOPANT COMPLEXES IN BULK P-TYPE AND IMPLANTED N-TYPE CRYSTALLINE SILICON
期刊论文
journal of applied physics, 1991, 卷号: 70, 期号: 7, 页码: 3802-3807
RIZK R
;
DEMIERRY P
;
SONG C
;
BALLUTAUD D
;
PAJOT B
收藏
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浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2010/11/15
MICROSCOPIC STRUCTURE
ACCEPTOR PAIRS
DOPED SILICON
BORON
DEFECT
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