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科研机构
半导体研究所 [19]
内容类型
期刊论文 [19]
发表日期
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2008 [1]
2006 [2]
2005 [3]
2004 [1]
2003 [1]
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学科主题
半导体材料 [19]
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共19条,第1-10条
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学科主题:半导体材料
内容类型:期刊论文
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35
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65
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75
80
85
90
95
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发表日期升序
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Nanostructural instability of single-walled carbon nanotubes during electron beam induced shrinkage
期刊论文
carbon, 2011, 卷号: 49, 期号: 9, 页码: 3120-3124
Zhu XF
;
Li LX
;
Huang SL
;
Wang ZG
;
Lu GQ
;
Sun CH
;
Wang LZ
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浏览/下载:27/3
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提交时间:2011/07/05
IRRADIATION
NANOCAVITY
Infrared transition properties of vanadium dioxide thin films across semiconductor-metal transition
期刊论文
rare metals, 2011, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 247-251
作者:
Li GK
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浏览/下载:75/2
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提交时间:2011/07/05
vanadium dioxide
infrared transition
diffraction effect
dual ion beam sputtering
annealing
Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates
期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032
作者:
Pan X
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2011/09/14
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE EPITAXY
ALN INTERLAYERS
FILMS
STRESS
LAYERS
DISLOCATIONS
REDUCTION
DENSITY
DIODES
Effect of AlN buffer thickness on GaN epilayer grown on Si(1 1 1)
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 97-100
Wei, M
;
Wang, XL
;
Pan, X
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Hou, QF
;
Wang, ZG
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浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2012/01/06
GaN
MOCVD
Si(111)
AlN
VAPOR-PHASE EPITAXY
LAYERS
SUBSTRATE
MOCVD
STRESS
Effect of indium-doped interlayer on the strain relief in GaN films grown on Si(111)
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2008, 卷号: 205, 期号: 2, 页码: 294-299
Wu, JJ
;
Zhao, LB
;
Zhang, GY
;
Liu, XL
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
;
Jia, QJ
;
Guo, LP
;
Hu, TD
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浏览/下载:71/3
  |  
提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
TEMPERATURE ALN INTERLAYERS
PHASE EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
SURFACTANT
SUBSTRATE
STRESS
SI
REDUCTION
SAPPHIRE
ZnO thin films on Si(111) grown by pulsed laser deposition from metallic Zn target
期刊论文
applied surface science, 2006, 卷号: 253, 期号: 2, 页码: 841-845
Zhao J (Zhao Jie)
;
Hu LZ (Hu Lizhong)
;
Wang ZY (Wang Zhaoyang)
;
Sun J (Sun Jie)
;
Wang ZJ (Wang Zhijun)
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/04/11
ZnO
pulsed laser deposition
oxygen pressure
annealing
X-ray diffraction
photoluminescence
ULTRAVIOLET EMISSION
ROOM-TEMPERATURE
ZINC-OXIDE
Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 380-383
Zhao YW (Zhao Y. W.)
;
Dong ZY (Dong Z. Y.)
;
Deng AH (Deng A. H.)
收藏
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/04/11
indium phosphide
defect
irradiation
THERMALLY STIMULATED CURRENT
UNDOPED SEMIINSULATING INP
DEEP-LEVEL DEFECTS
FRENKEL PAIRS
FE
SPECTROSCOPY
PHOSPHIDE
AMBIENT
TRAPS
Effects of crystalline quality on the phase stability of cubic boron nitride thin films under medium-energy ion irradiation
期刊论文
diamond and related materials, 2005, 卷号: 14, 期号: 9, 页码: 1482-1488
作者:
Zhang XW
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浏览/下载:53/14
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提交时间:2010/03/17
cubic boron nitride
Influence of rapid thermal annealing on InAs/InAlAs/InP quantum wires with different InAs deposited thickness
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 284, 期号: 1-2, 页码: 20-27
作者:
Ye XL
;
Xu B
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浏览/下载:68/18
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提交时间:2010/03/17
annealing
Development of cross-hatch grid morphology and its effect on ordering growth of quantum dots
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 592-596
作者:
Jin P
;
Xu B
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浏览/下载:60/0
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提交时间:2010/03/17
stress
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