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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Aluminum induced crystallization of strongly (111) oriented polycrystalline silicon thin film and nucleation analysis 期刊论文 science china-technological sciences, 2010, 卷号: 53, 期号: 11, 页码: 3002-3005 Huang TM (Huang TianMao); Chen NF (Chen NuoFu); Zhang XW (Zhang XingWang); Bai YM (BaiYiMing); Yin ZG (Yin ZhiGang); Shi HW (Shi HuiWei); Zhang H (Zhang Han); Wang Y (Wang Yu); Wang YS (Wang YanShuo); Yang XL (Yang XiaoLi) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/11/14 polycrystalline silicon thin film  aluminum induced crystallization  (111) preferred orientation  INDUCED LAYER-EXCHANGE  AMORPHOUS-SILICON  SOLAR-CELLS  GLASS  SI  ORIENTATION  MODEL   Comparison of valence band x-ray photoelectron spectrum between Al-N-codoped and N-doped ZnO films 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: art.no.602110 作者:  Han XX;  Wei HY 收藏  |  浏览/下载：713/6  |  提交时间：2010/04/11 P-TYPE CONDUCTION  THIN-FILMS  OHMIC CONTACTS   Preparation and characterization of GaN films by radio frequency magnetron sputtering and carbonized-reaction technique 期刊论文 applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 6, 页码: 2153-2158 Zhang CG; Chen WD; Bian LF; Song SF; Hsu CC 收藏  |  浏览/下载：82/0  |  提交时间：2010/04/11 gallium nitride films  gallium oxide  carbonized-reaction  NITRIDE THIN-FILMS  TEMPERATURE  SUBSTRATE  SI(111)   Aluminium doping induced enhancement of p-d coupling in ZnO 期刊论文 journal of physics-condensed matter, 2006, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 3081-3087 作者:  Han XX;  Wei HY 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/04/11 ELECTRONIC-STRUCTURE CALCULATIONS  II-VI SEMICONDUCTORS  THIN-FILMS  PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY  DOPED ZNO  1ST-PRINCIPLES  CONDUCTION  STATES   Al2O3 : Cr3+ nanotubes synthesized via homogenization precipitation followed by heat treatment 期刊论文 journal of physical chemistry b, 2006, 卷号: 110, 期号: 32, 页码: 15749-15754 Cheng BC (Cheng Baochang); Qu SC (Qu Shengchun); Zhou HY (Zhou Huiying); Wang ZG (Wang Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/04/11 GALLIUM NITRIDE NANOTUBES  SINGLE-CRYSTALLINE  ALUMINA NANOTUBES  ALPHA-AL2O3 NANOWIRES  OXIDE NANOTUBES  ROUTE  FILMS  NANOSTRUCTURES  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE   Indium doping effect on GaN in the initial growth stage 期刊论文 journal of electronic materials, 2001, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 977-979 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：158/29  |  提交时间：2010/08/12 GaN  indium doping  initial growth stage  morphology  optical transmission  photoluminescence  VAPOR-PHASE EPITAXY  BUFFER LAYER  FILMS  SAPPHIRE  DEPOSITION   In situ annealing treatment and In-doping of GaN epilayers grown by MOVPE 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 221, 期号: 0, 页码: 356-361 Lu DC; Wang CX; Yuan HR; Liu XL; Wang XH 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  annealing treatment  In-doping  MOVPE  photoluminescence  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  BUFFER LAYER  FILMS  SAPPHIRE