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厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响 期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420
作者: 刘斌; 陈涌海

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GaInP/GaAs/Ge三结叠层光电池光谱响应的温度特性 期刊论文
科学通报, 2009, 卷号: 54, 期号: 1, 页码: 16-20
作者: 刘磊; 刘磊; 刘磊; 刘磊; 汪宇

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ZnAl_2O_4缓冲层对ZnO外延层晶体质量的影响 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1334-1337
作者: 王晓峰

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折射率色散效应对晶体硅太阳电池反射率的影响 期刊论文
光子学报, 2007, 卷号: 36, 期号: 7, 页码: 1202-1206
作者: 梁平

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截止波长12μm的InAs0.04Sb0.96/GaAs的熔体外延生长及特性研究 期刊论文
光电子·激光, 2007, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 67-70
作者: 陈涌海

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带有A1N插入层的GaN薄膜的结构及应变研究 期刊论文
原子能科学技术, 2006, 卷号: 40, 期号: 5, 页码: 614-619
作者: 赵强

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蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 1382-1385
作者: 王晓燕; 肖红领; 王保柱

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离子束溅射制备Si／Ge多层膜及红外吸收性能研究 期刊论文
人工晶体学报, 2006, 卷号: 35, 期号: 2, 页码: 280-284
刘焕林; 郝瑞亭; 杨宇

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纳米硅薄膜光学性质的测定与研究 期刊论文
半导体光电, 2005, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 327-329
钟立志; 张维佳; 崔敏; 吴小文; 李国华; 丁琨

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低温制备微晶硅薄膜生长机制的研究 期刊论文
物理学报, 2005, 卷号: 54, 期号: 4, 页码: 1890-1894
谷锦华; 周玉琴; 朱美芳; 李国华; 丁琨; 周炳卿; 刘丰珍; 刘金龙; 张群芳

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