离子束溅射制备Si／Ge多层膜及红外吸收性能研究

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	离子束溅射制备Si／Ge多层膜及红外吸收性能研究
	刘焕林 ; 郝瑞亭 ; 杨宇
刊名	人工晶体学报
	2006
卷号	35 期号:2 页码:280-284
中文摘要	采用离子束溅射方法在Si衬底上制备Si／Ge多层膜。通过改变生长温度、溅射速率等因素得到一系列Si／Ge多层膜样品。通过X射线衍射、拉曼散射、原子力显微分析（AFM）等表征方法研究薄膜结构与生长条件的关系。在小束流（10mA）、室温条件下制备出界面清晰、周期完整的Si／Ge多层膜。通过红外吸收谱的测量发现薄膜样品具有较好的红外吸收性能。
英文摘要	采用离子束溅射方法在Si衬底上制备Si／Ge多层膜。通过改变生长温度、溅射速率等因素得到一系列Si／Ge多层膜样品。通过X射线衍射、拉曼散射、原子力显微分析（AFM）等表征方法研究薄膜结构与生长条件的关系。在小束流（10mA）、室温条件下制备出界面清晰、周期完整的Si／Ge多层膜。通过红外吸收谱的测量发现薄膜样品具有较好的红外吸收性能。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:03:00导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:00Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4269.pdf: 304570 bytes, checksum: c0ab3b0e476badee5922f0c31ea09260 (MD5) Previous issue date: 2006; 云南省自然科学基金资助项目; 云南大学材料科学与工程系;中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	云南省自然科学基金资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16625]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	刘焕林,郝瑞亭,杨宇. 离子束溅射制备Si／Ge多层膜及红外吸收性能研究[J]. 人工晶体学报,2006,35(2):280-284.
APA	刘焕林,郝瑞亭,&杨宇.(2006).离子束溅射制备Si／Ge多层膜及红外吸收性能研究.人工晶体学报,35(2),280-284.
MLA	刘焕林,et al."离子束溅射制备Si／Ge多层膜及红外吸收性能研究".人工晶体学报 35.2(2006):280-284.