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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
会议论文 [3]
发表日期
2008 [1]
2006 [1]
1998 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
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学科主题:半导体材料
内容类型:会议论文
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Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode
会议论文
34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007
Wang, XH
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Feng, C
;
Wang, XY
;
Wang, BZ
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/03/09
GAS SENSORS
HEMT STRUCTURES
MOBILITY
TEMPERATURE
TRANSISTORS
GROWTH
MOCVD
LAYER
Homoepitaxial growth and characterization of 4H-SiC epilayers by low-pressure hot-wall chemical vapor deposition
会议论文
international conference on silicon carbide and related materials (icscrm 2005), pittsburgh, pa, sep 18-23, 2005
Sun, GS (Sun, Guosheng)
;
Ning, J (Ning, Jin)
;
Gong, QC (Gong, Quancheng)
;
Gao, X (Gao, Xin)
;
Wang, L (Wang, Lei)
;
Liu, XF (Liu, Xingfang)
;
Zeng, YP (Zeng, Yiping)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
收藏
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浏览/下载:102/29
  |  
提交时间:2010/03/29
homoepitaxial growth
low-pressure hot-wall CVD
structural and optical characteristics
intentional doping
Schottky barrier diodes
Asymmetric dark current in double barrier quantum well infrared photodetectors
会议论文
conference on infrared spaceborne remote sensing vi, san diego, ca, jul 22-24, 1998
Zhuang QD
;
Li JM
;
Lin LY
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  |  
浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2010/10/29
dark current
quantum well
infrared
photodetector
MU-M
PERFORMANCE
DETECTORS
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