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半导体研究所 [5]
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学科主题:半导体材料
内容类型:专利
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一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
王晓亮
;
李巍
;
肖红领
;
冯春
;
姜丽娟
;
殷海波
;
王翠梅
;
李百泉
收藏
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浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2016/09/29
氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
王晓亮
;
李巍
;
李百泉
;
肖红领
;
殷海波
;
冯春
;
姜丽娟
;
邱爱芹
;
王翠梅
;
介芳
收藏
  |  
浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2016/09/28
氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
王晓亮
;
李巍
;
李百泉
;
肖红领
;
殷海波
;
冯春
;
姜丽娟
;
邱爱芹
;
王翠梅
;
介芳
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2016/09/28
具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-29
王晓亮
;
彭恩超
;
王翠梅
;
肖红领
;
冯春
;
姜丽娟
;
陈竑
收藏
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浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2014/12/25
一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
王晓亮
;
李巍
;
肖红领
;
冯春
;
姜丽娟
;
殷海波
;
王翠梅
;
李百泉
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2016/09/28
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