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一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
王晓亮; 李巍; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 殷海波; 王翠梅; 李百泉
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氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳
收藏  |  浏览/下载:26/0  |  提交时间:2016/09/28
氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2016/09/28
具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-29
王晓亮; 彭恩超; 王翠梅; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑
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一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
王晓亮; 李巍; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 殷海波; 王翠梅; 李百泉
收藏  |  浏览/下载:23/0  |  提交时间:2016/09/28


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