| 具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 | |
| 王晓亮 ; 彭恩超 ; 王翠梅 ; 肖红领 ; 冯春 ; 姜丽娟 ; 陈竑 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 公开日期 | 2013-05-29 |
| 申请日期 | 2013-02-07 |
| 专利申请号 | CN201310048977.6 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25849]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王晓亮,彭恩超,王翠梅,等. 具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法. |
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