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半导体研究所 [35]
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2009 [1]
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2006 [6]
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学科主题
光电子学 [35]
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学科主题:光电子学
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Growth of high quality Ge epitaxial films on Si substrate by low temperature buffer technique
期刊论文
guangdianzi jiguang/journal of optoelectronics laser, 2011, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1030-1033
Zhou, Zhi-Wen
;
He, Jing-Kai
;
Li, Cheng
;
Yu, Jin-Zhong
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2012/06/13
Atomic force microscopy
Atomic spectroscopy
Chemical vapor deposition
Diffraction
Epitaxial growth
Germanium
Raman spectroscopy
Semiconducting silicon compounds
Substrates
Surface morphology
Ultrahigh vacuum
X ray diffraction
High-reflectivity AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown on sapphire substrates by MOCVD
期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: article no.55013
Wu CM
;
Zhang BP
;
Shang JZ
;
Cai LE
;
Zhang JY
;
Yu JZ
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:64/3
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提交时间:2011/07/05
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE EPITAXY
MIRRORS
GAN
WAVELENGTHS
Band optimization of two-dimensional photonic crystal surface-emitting laser
期刊论文
journal of optics, 2011, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: article no.15104
作者:
Jiang B
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浏览/下载:68/4
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提交时间:2011/07/06
photonic crystal
band edge mode
surface-emitting laser
band optimization
TIME-DOMAIN SIMULATION
MODE LASER
EMISSION
SILICON
DESIGN
SLAB
Graded index profiles and loss-induced single-mode characteristics in vertical-cavity surface-emitting lasers with petal-shape holey structure
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 2, 页码: article no.24204
作者:
Jiang B
收藏
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浏览/下载:65/7
  |  
提交时间:2011/07/06
vertical-cavity surface-emitting lasers
single mode
low divergence angle
graded index profile
OPTICAL INTERCONNECTS
QUANTUM-DOT
WAVE-GUIDE
VCSELS
POWER
FIELD
OPERATION
OXIDATION
DESIGN
FIBERS
Epitaxial growth and thermal stability of Ge1-xSnx alloys on Ge-buffered Si(001) substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46
Su SJ
;
Wang W
;
Cheng BW
;
Zhang GZ
;
Hu WX
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Wang QM
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浏览/下载:71/4
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提交时间:2011/07/05
Thermal stability
Molecular beam epitaxy
Germanium tin alloys
Germanium
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
LOW-TEMPERATURE
SEMICONDUCTORS
GE(001)2X1
Epitaxial growth of Ge0.975Sn0.025 alloy films on Si(001) substrates by molecular beam epitaxy
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: article no.28101
Su SJ
;
Wang W
;
Zhang GZ
;
Hu WX
;
Bai AQ
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Cheng BW
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:55/3
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提交时间:2011/07/05
GeSn
Ge
molecular beam epitaxy
epitaxial growth
SEMICONDUCTORS
GE(001)2X1
Study of GaN epilayers growth on freestanding Si cantilevers
期刊论文
solid-state electronics, 2010, 卷号: 54, 期号: 1, 页码: 4-7
Chen J
;
Wang X
;
Wu AM
;
Zhang B
;
Wang X
;
Wu YX
;
Zhu JJ
;
Yang H
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浏览/下载:72/0
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提交时间:2010/04/04
FABRICATION
SILICON
MEMS
NITRIDE
Impact of thickness of GaN buffer layer on properties of AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
science china-technological sciences, 2010, 卷号: 53, 期号: 2, 页码: 313-316
Wu CM (Wu ChaoMin)
;
Shang JZ (Shang JingZhi)
;
Zhang BP (Zhang BaoPing)
;
Zhang JY (Zhang JiangYong)
;
Yu JZ (Yu JinZhong)
;
Wang QM (Wang QiMing)
收藏
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浏览/下载:73/2
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提交时间:2010/05/04
MOCVD
DBR
high-reflectivity
nitride
SURFACE-EMITTING LASER
Stable multiplication gain in GaN p-i-n avalanche photodiodes with large device area
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 1, 页码: art. no. 015108
作者:
Wang H
;
Zhao DG
;
Zhang SM
;
Yang H
;
Yang H
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浏览/下载:168/40
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提交时间:2010/03/08
SURFACE-MORPHOLOGY
DETECTORS
GROWTH
The effect of growth temperature on structural quality of GaN/AlN quantum wells by metal-organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 10, 页码: art. no. 105106
Ma, ZF
;
Zhao, DG
;
Wang, YT
;
Jiang, DS
;
Zhang, SM
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Sun, BJ
;
Yang, H
;
Liang, JW
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浏览/下载:51/3
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提交时间:2010/03/08
INTERSUBBAND ABSORPTION
MU-M
ALGAN
GAN
INTERLAYERS
MOVPE
ALN
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