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科研机构
半导体研究所 [8]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2008 [1]
2006 [2]
2005 [2]
1998 [1]
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学科主题
光电子学 [8]
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学科主题:光电子学
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A practical route towards fabricating GaN nanowire arrays
期刊论文
crystengcomm, 2011, 卷号: 13, 期号: 19, 页码: 5929-5935
Liu, JQ
;
Huang, J
;
Gong, XJ
;
Wang, JF
;
Xu, K
;
Qiu, YX
;
Cai, DM
;
Zhou, TF
;
Ren, GQ
;
Yang, H
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2012/02/06
LIGHT-EMITTING-DIODES
EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
WELL NANOROD ARRAYS
ULTRAVIOLET-LIGHT
GROWTH
NANOGENERATORS
DISLOCATIONS
BRIGHTNESS
LAYERS
Multimode resonances in metallically confined square-resonator microlasers
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 5, 页码: art. no. 051104
Che KJ (Che Kai-Jun)
;
Yang YD (Yang Yue-De)
;
Huang YZ (Huang Yong-Zhen)
收藏
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浏览/下载:187/14
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提交时间:2010/04/13
aluminium compounds
finite difference time-domain analysis
gallium compounds
III-V semiconductors
indium compounds
laser cavity resonators
photolithography
refractive index
sputter etching
DIRECTIONAL EMISSION
MICRODISK LASERS
MODES
Narrow line-width resonant cavity enhanced photodetectors operating at 1.55 mu m
期刊论文
optics communications, 2008, 卷号: 281, 期号: 6, 页码: 1582-1587
Mao, RW
;
Tsai, CS
;
Yu, JZ
;
Wang, QM
收藏
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浏览/下载:39/1
  |  
提交时间:2010/03/08
resonant cavity enhanced (RCE)
photodetector
line-width
free carrier absorption
Influence of cracks generation on the structural and optical properties of GaN/Al0.55Ga0.45N multiple quantum wells
期刊论文
applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 8, 页码: 3043-3050
作者:
Zhang SM
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浏览/下载:84/0
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提交时间:2010/04/11
nitrides
multiple quantum wells
cracks
dislocations
vacancies x-ray diffraction
X-RAY-DIFFRACTION
EDGE DISLOCATIONS
GAN
FILMS
SUPERLATTICES
RELAXATION
STRAIN
Strain evolution in GaN layers grown on high-temperature AlN interlayers
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 15, 页码: art.no.152105
Wang JF (Wang J. F.)
;
Yao DZ (Yao D. Z.)
;
Chen J (Chen J.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Liang JW (Liang J. W.)
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
STRESS EVOLUTION
DEFECT STRUCTURE
EPITAXIAL GAN
THIN-FILMS
ALGAN
DISLOCATIONS
RELAXATION
REDUCTION
Investigations on optical properties of AlGaInN epilayers grown by mocvd
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2005, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 193-197
作者:
Yang H
;
Jiang DS
;
Yang H
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浏览/下载:61/21
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提交时间:2010/03/17
nitrides
Lateral phase separation in AlGaN grown on GaN with a high-temperature AIN interlayer
期刊论文
applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 12, 页码: art.no.121914
作者:
Yang H
;
Yang H
;
Wang H
;
Jiang DS
;
Zhang SM
收藏
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浏览/下载:110/19
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提交时间:2010/03/17
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
New method for the growth of highly uniform quantum dots
期刊论文
microelectronic engineering, 1998, 卷号: 43-44, 期号: 0, 页码: 79-83
Pan D
;
Zeng YP
;
Kong MY
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/08/12
self-formed quantum dot
Stranski-Krastanow growth mode
superlattice
INGAAS
GAAS
DISLOCATIONS
MULTILAYERS
DEFECTS
STRAIN
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
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