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科研机构
半导体研究所 [7]
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2010 [1]
2008 [1]
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学科主题
光电子学 [7]
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学科主题:光电子学
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Mode characteristics of metallically coated square microcavity connected with an output waveguide
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 11, 页码: art. no. 113103
Che KJ (Che Kai-Jun)
;
Huang YZ (Huang Yong-Zhen)
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/07/05
finite difference time-domain analysis
microcavities
micro-optics
optical waveguides
Q-factor
reflectivity
refractive index
RESONATOR MICROLASERS
FDTD TECHNIQUE
EMISSION
FILTERS
CAVITY
LAYER
LASER
Numerical analysis of gain saturation, noise figure, and carrier distribution for quantum-dot semiconductor-optical amplifiers
期刊论文
ieee journal of quantum electronics, 2008, 卷号: 44, 期号: 39939, 页码: 448-455
Xiao, JL
;
Huang, YZ
收藏
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浏览/下载:38/1
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提交时间:2010/03/08
gain
noise
quantum dots (QDs)
semiconductor-optical amplifiers (SOAs)
Effect of heavy boron doping on the electrical characteristics of SiGeHBTs
期刊论文
semiconductor science and technology, 2007, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 890-895
Yao F (Yao Fei)
;
Xue CL (Xue Chun-Lai)
;
Cheng BW (Cheng Bu-Wen)
;
Wang QM (Wang Qi-Ming)
收藏
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浏览/下载:73/0
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提交时间:2010/03/29
HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS
Probing deep level centers in GaN epilayers with variable-frequency capacitance-voltage characteristics of Au/GaN Schottky contacts
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 14, 页码: art.no.143505
Wang RX (Wang R. X.)
;
Xu SJ (Xu S. J.)
;
Shi SL (Shi S. L.)
;
Beling CD (Beling C. D.)
;
Fung S (Fung S.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Tao XM (Tao X. M.)
收藏
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/04/11
DISLOCATIONS
DEGRADATION
Investigations on V-defects in quaternary AlInGaN epilayers
期刊论文
applied physics letters, 2004, 卷号: 84, 期号: 26, 页码: 5449-5451
作者:
Yang H
;
Yang H
;
Wang YT
;
Jiang DS
收藏
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浏览/下载:397/176
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提交时间:2010/03/09
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
Fabrication of semiconductor optical amplifiers and a novel gain measuring technique
会议论文
6th chinese optoelectronics symposium, kowloon, peoples r china, sep 12-14, 2003
作者:
Yu LJ
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/10/29
SPECTRA
LASERS
The improvement characteristics of homoepitaxial GaAs grown by atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 191-193
Wang HL
;
Zhu HJ
;
Ning D
;
Wang H
;
Wang XD
;
Guo ZS
;
Feng SL
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浏览/下载:87/0
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提交时间:2010/08/12
atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy
deep level transient spectroscopy
deep level defects
DISLOCATION DENSITY
IRRADIATION
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