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科研机构
半导体研究所 [12]
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期刊论文 [12]
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2009 [1]
2008 [1]
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学科主题
光电子学 [12]
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学科主题:光电子学
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High response solar-blind ultraviolet photodetector based on Zr0.5Ti0.5O2 film
期刊论文
applied surface science, 2013, 卷号: 268, 页码: 312-316
Zhang, Min
;
Gu, Xuehui
;
Lv, Kaibo
;
Dong, Wei
;
Ruan, Shengping
;
Chen, Yu
;
Zhang, Haifeng
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2013/09/17
A study on the spectral response of back-illuminated p-i-n AlGaN heterojunction ultraviolet photodetector
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 5, 页码: 53701
Zhao DG
;
Zhang S
;
Jiang DS
;
Zhu JJ
;
Liu ZS
;
Wang H
;
Zhang SM
;
Zhang BS
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2012/02/06
SURFACE PHOTOVOLTAGE SPECTROSCOPY
III-NITRIDES
Fabrication of246 nm back-illuminated AlGaN solar-blind ultraviolet p-i-n photodetector
期刊论文
hongwai yu jiguang gongcheng/infrared and laser engineering, 2011, 卷号: 40, 期号: 1, 页码: 32-35
Yan, Tingjing
;
Chong, Ming
;
Zhao, Degang
;
Zhang, Shuang
;
Chen, Lianghui
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2012/06/14
Alloying
Fabrication
Gallium
Heterojunctions
Optoelectronic devices
Pixels
A new method to measure the carrier concentration of p-GaN
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 3, 页码: article no.37804
Zhou M
;
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:66/7
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提交时间:2011/07/05
p-GaN
carrier concentration measurement
ultraviolet photodetector
LASER-DIODES
FILMS
Hole concentration test of p-type GaN by analyzing the spectral response of p-n(+) structure GaN ultraviolet photodetector
期刊论文
: journal of alloys and compounds, 2010, 卷号: 492, 期号: 1-2, 页码: 300-302
作者:
Zhu JJ
;
Yang H
;
Yang H
;
Zhao DG
;
Zhang SM
收藏
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浏览/下载:231/10
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提交时间:2010/04/13
Nitride materials
Photoconductivity and photovoltaics
Computer simulations
FILMS
Role of Ga vacancies in enhancing the leakage current of GaN Schottky barrier ultraviolet photodetectors
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: art. no. 057802
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Zhang S (Zhang Shuang)
;
Liu WB (Liu Wen-Bao)
;
Hao XP (Hao Xiao-Peng)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Yang H (Yang Hui)
;
Wei L (Wei Long)
收藏
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浏览/下载:75/2
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提交时间:2010/05/24
Ga vacancies
MOCVD
GaN
Schottky barrier photodetector
REVERSE-BIAS LEAKAGE
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
P-N-JUNCTIONS
POSITRON-ANNIHILATION
DIODES
FILMS
Effects of the electrical signals generated in passive sections of SG-DBR lasers
期刊论文
optics communications, 2010, 卷号: 283, 期号: 24, 页码: 5156-5160
作者:
Wang LX
收藏
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浏览/下载:54/8
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提交时间:2011/07/05
Photocurrent
Photodetector
Photovoltaic effect
Sampled-grating distributed Bragg reflector laser
TUNING RANGE
Effects of AlGaN layer parameter on ultraviolet response of n(+)-GaN/i-AlxGa1 (-) N-x/n(+)-GaN structure ultraviolet-infrared photodetector
期刊论文
acta physica sinica, 2010, 卷号: 59, 期号: 12, 页码: 8903-8909
作者:
Zhu JJ
;
Jiang DS
;
Zhao DG
;
Deng Y
;
Wu LL
收藏
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浏览/下载:55/2
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提交时间:2011/07/05
GaN
ultraviolet and infrared photodetector
quantum efficiency
SOLAR-BLIND
A new p-n structure ultraviolet photodetector with p(-)-GaN active region
期刊论文
acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 10, 页码: 7255-7260
Zhou M (Zhou Mei)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
收藏
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浏览/下载:188/83
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提交时间:2010/03/08
p menus type GaN
Investigation of responsivity decreasing with rising bias voltage in a GaN Schottky barrier photodetector
期刊论文
semiconductor science and technology, 2008, 卷号: 23, 期号: 10, 页码: art. no. 105015
Zhang, S
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Liu, WB
;
Duan, LH
;
Wang, YT
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Zhang, SM
;
Yang, H
收藏
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浏览/下载:66/0
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提交时间:2010/03/08
METAL ULTRAVIOLET PHOTODETECTORS
UV DETECTORS
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