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科研机构
半导体研究所 [8]
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会议论文 [1]
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学科主题
光电子学 [8]
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学科主题:光电子学
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Optical properties of InN rods on sapphire grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 138-141
作者:
Zhang SM
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浏览/下载:58/1
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提交时间:2011/07/05
BAND-GAP
INDIUM NITRIDE
TRANSPORT
EMISSION
Abnormal photoabsorption in high resistance GaN epilayer
期刊论文
acta physica sinica, 2010, 卷号: 59, 期号: 11, 页码: 8048-8051
Liu WB (Liu Wen-Bao)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/12/27
GaN
exciton
photovoltaic spectroscopy
MSM
photoresponsivity
Substantial photo-response of InGaN p-i-n homojunction solar cells
期刊论文
semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: art. no. 055009
Zeng SW
;
Zhang BP
;
Sun JW
;
Cai JF
;
Chen C
;
Yu JZ
收藏
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浏览/下载:58/7
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提交时间:2010/03/08
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INN
ABSORPTION
ALLOYS
ENERGY
Photoluminescence study of AlGaInP/GaInP quantum well intermixing induced by zinc impurity diffusion
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 309, 期号: 2, 页码: 140-144
Lin, T
;
Zheng, K
;
Wang, CL
;
Ma, XY
收藏
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浏览/下载:38/3
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提交时间:2010/03/08
diffusion
metalorganic vapor phase epitaxy
semiconducting III-V materials
laser diodes
High-power AlGaInP laser diodes with current-injection-free region near the laser facet
期刊论文
optical engineering, 2006, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: art.no.034205
Xu Y
;
Li YZ
;
Gan QQ
;
Cao Q
;
Song GF
;
Guo L
;
Chen LH
收藏
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2010/04/11
laser diodes
AlGaInP
ridge waveguide
current-injection-free region
OPERATION
Leakage current analysis in AlGaInP/GaInP multi-quantum well lasers by the electrical derivative method - art. no. 60202F
会议论文
conference on optoelectronic materials and devices for optical communications, shanghai, peoples r china, nov 07-10, 2005
Xu Y
;
Li YZ
;
Song GF
;
Gan QQ
;
Cao Q
;
Guo L
;
Chen LH
收藏
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浏览/下载:108/26
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提交时间:2010/03/29
AIGaInP laser diodes
The mechanism of blueshift in excitation-intensity-dependent photo luminescence spectrum of nitride multiple quantum wells
期刊论文
journal of luminescence, 2002, 卷号: 99, 期号: 1, 页码: 35-38
作者:
Han PD
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2010/08/12
photoluminescence
excitation transfer mechanism
GAN
InGaN
MOCVD
INGAN SINGLE
EMISSION
POLARIZATION
Native-oxidized InAlAs blocking layer buried heterostructure InGaAsP-InP MQW laser for high-temperature operation
期刊论文
ieee photonics technology letters, 1999, 卷号: 11, 期号: 1, 页码: 3-5
Jie WZ
;
Jin CS
;
Fan Z
;
Jie WX
;
Wei W
;
Han WR
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/08/12
CVD
insulation
leakage currents
oxidation
quantum-well lasers
semiconductor heterojunctions
thermal factors
DIODES
LEAKAGE CURRENT
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