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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Flattening of low temperature epitaxial Ge1-xSnx/Ge/Si(100) alloys via mass transport during post-growth annealing 期刊论文 applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 9, 页码: 4468-4471 Wang W; Su SJ; Zheng J; Zhang GZ; Xue CL; Zuo YH; Cheng BW; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：98/7  |  提交时间：2011/07/05 Germanium tin alloys  Germanium buffer  Surface morphology evolution  Mass transport  SURFACE  GROWTH  EVOLUTION  DECAY   Formation of high reflective Ni/Ag/Ti/Au contact on p-GaN 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 42, 期号: 9, 页码: 2420-2423 Jiang F (Jiang Fang); Cai LE (Cai Li-E); Zhang JY (Zhang Jiang-Yong); Zhang BP (Zhang Bao-Ping) 收藏  |  浏览/下载：140/2  |  提交时间：2010/09/07 High reflective  p-GaN  AES  Optimal conditions   Small SiGe quantum dots obtained by excimer laser annealing 期刊论文 journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 16, 页码: 3746-3751 Han GQ; Zeng YG; Liu Y; Yu JZ; Cheng BW; Yang HT 收藏  |  浏览/下载：61/1  |  提交时间：2010/03/08 diffusion   Evolution of Ge and SiGe quantum dots under excimer laser annealing 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 242-245 Han GQ; Zeng YG; Yu JZ; Cheng BW; Yang HT 收藏  |  浏览/下载：86/2  |  提交时间：2010/03/08 Structural characterization of mn implanted AlInN 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 11, 页码: art. no. 115404 Majid A; Ali A; Zhu JJ; Wang YT 收藏  |  浏览/下载：62/3  |  提交时间：2010/03/08 ION-IMPLANTATION   Smaller Ge Quantum Dots Obtained by ArF Excimer Laser Annealing 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 4, 页码: 641-644 Zeng Yugang; Han Genquan; Yu Jinzhong 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23