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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Ground state energy of He isoelectronic sequence treated variationally via Hylleraas-like wavefunction 期刊论文 chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 2238-2243 Guo Jian-Chuan; Zuo Yu-Hua; Zhang Yun; Ding Wu-Chang; Cheng Bu-Wen; Yu Jin-Zhong; Wang Qi-Ming 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23 Suppression of indium droplet formation by adding CCl4 during metalorganic chemical vapor deposition growth of InN films 期刊论文 semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 7, 页码: art. no. 075004 作者:  Wang H;  Yang H;  Yang H;  Zhao DG;  Wang YT 收藏  |  浏览/下载：47/1  |  提交时间：2010/03/08 ELECTRON-TRANSPORT  PHASE EPITAXY  NITRIDE INN  BAND-GAP   AlGaN layers grown on AlGaN buffer layer and GaN buffer layer using strain-relief interlayers - art. no. 68410S 会议论文 conference on solid state lighting and solar energy technologies, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007 Liu, NX; Yan, JC; Liu, Z; Ma, P; Wang, JX; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/03/09 AlGaN  HT-AlGaN buffer  HT-interlayers  ultraviolet (UV) LED   Dislocation Reduction in GaN on Sapphire by Epitaxial Lateral Overgrowth 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 419-424 作者:  Wang Hui;  Zhang Shuming;  Zhu Jianjun;  Zhao Degang;  Wang Hui 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/23 Evolution of mosaic structure in InN grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 269-272 Huang Y (Huang Y.); Wang H (Wang H.); Sun Q (Sun Q.); Chen J (Chen J.); Li DY (Li D. Y.); Zhang JC (Zhang J. C.); Wang JF (Wang J. F.); Wang YT (Wang Y. T.); Yang H (Yang H.) 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/04/11 growth mode  X-ray diffraction  metalorganic chemical vapor deposition  indium nitride  X-RAY-DIFFRACTION  THREADING DISLOCATIONS  ELECTRON-TRANSPORT  BUFFER LAYER  THIN-FILMS  GAN FILMS  SAPPHIRE  ALN   Lateral phase separation in AlGaN grown on GaN with a high-temperature AIN interlayer 期刊论文 applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 12, 页码: art.no.121914 作者:  Yang H;  Yang H;  Wang H 收藏  |  浏览/下载：106/19  |  提交时间：2010/03/17 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   Surface morphology of AlN buffer layer and its effect on GaN growth by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 applied physics letters, 2004, 卷号: 85, 期号: 9, 页码: 1499-1501 Zhao, DG; Zhu, JJ; Liu, ZS; Zhang, SM; Yang, H; Jiang, DS 收藏  |  浏览/下载：259/63  |  提交时间：2010/03/09 SAPPHIRE SUBSTRATE