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AlGaN基深紫外发光二极管和激光器关键技术研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
田迎冬
收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2016/06/01
采用低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量Ge薄膜 期刊论文
光电子·激光, 2011, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1030-1033
周志文; 贺敬凯; 李成; 余金中
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/07/17
Si衬底上Ge材料的UHVCVD生长 期刊论文
材料科学与工程学报, 2009, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 118-120
作者:  薛海韵;  成步文;  薛春来
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/11/23
UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 315-318
周志文; 蔡志猛; 张永; 蔡坤煌; 周笔; 林桂江; 汪建元; 李成; 赖虹凯; 陈松岩; 余金中; 王启明
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23
In源流量与Ⅲ族流量之比对InGaN/GaN多量子阱性质的影响 期刊论文
物理学报, 2004, 卷号: 53, 期号: 8, 页码: 2467-2471
作者:  王玉田
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/11/23
横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究 期刊论文
核技术, 2002, 卷号: 25, 期号: 10, 页码: 770-774
作者:  王玉田
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/23
立方相GaN外延层中堆垛层错的非对称性 期刊论文
广西大学学报. 自然科学版, 2002, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 252-255
沈晓明; 渠波; 冯志宏; 杨辉
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23
组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 11, 页码: 1111
作者:  成步文
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23
GaAs/Si 外延层X射线摇摆曲线的动力学模拟和位错密度的测量 期刊论文
中国科学（A辑）, 1995, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 1175-1180
郝茂盛; 王玉田; 梁骏吾
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2014/05/14
GaAs/Si外延层X射线双晶衍射摇摆曲线的动力学模拟和位错密度的测量 期刊论文
中国科学. A辑，数学, 1995, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 1175
作者:  王玉田
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23

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