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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2010 [2]
1999 [1]
学科主题
光电子学 [3]
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学科主题:光电子学
专题:半导体研究所
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Optical properties of InN rods on sapphire grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 138-141
作者:
Zhang SM
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浏览/下载:59/1
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提交时间:2011/07/05
BAND-GAP
INDIUM NITRIDE
TRANSPORT
EMISSION
Investigation on the strain relaxation of InGaN layer and its effects on the InGaN structural and optical properties
期刊论文
physica b-condensed matter, 2010, 卷号: 405, 期号: 22, 页码: 4668-4672
Wang H (Wang H.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Jahn U (Jahn U.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Liu ZS (Liu Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Qiu YX (Qiu Y. X.)
;
Yang H (Yang H.)
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提交时间:2010/12/12
InGaN
Dislocation
Metalorganic chemical vapor deposition
High resolution X-ray diffraction
Cathodoluminescence
MISFIT DISLOCATIONS
QUANTUM-WELLS
BAND-GAP
EPILAYERS
GENERATION
ALLOYS
INN
Radiative transition in delta-doped GaAs superlattices
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 1999, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 89-92
作者:
Tan PH
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
delta-doping
superlattices
radiative transition
SI
BAND-GAP
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