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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2008 [4]
学科主题
光电子学 [6]
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学科主题:光电子学
内容类型:期刊论文
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Flattening of low temperature epitaxial Ge1-xSnx/Ge/Si(100) alloys via mass transport during post-growth annealing
期刊论文
applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 9, 页码: 4468-4471
Wang W
;
Su SJ
;
Zheng J
;
Zhang GZ
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Cheng BW
;
Wang QM
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浏览/下载:99/7
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提交时间:2011/07/05
Germanium tin alloys
Germanium buffer
Surface morphology evolution
Mass transport
SURFACE
GROWTH
EVOLUTION
DECAY
Formation of high reflective Ni/Ag/Ti/Au contact on p-GaN
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 42, 期号: 9, 页码: 2420-2423
Jiang F (Jiang Fang)
;
Cai LE (Cai Li-E)
;
Zhang JY (Zhang Jiang-Yong)
;
Zhang BP (Zhang Bao-Ping)
收藏
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浏览/下载:140/2
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提交时间:2010/09/07
High reflective
p-GaN
AES
Optimal conditions
Small SiGe quantum dots obtained by excimer laser annealing
期刊论文
journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 16, 页码: 3746-3751
Han GQ
;
Zeng YG
;
Liu Y
;
Yu JZ
;
Cheng BW
;
Yang HT
收藏
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浏览/下载:61/1
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提交时间:2010/03/08
diffusion
Evolution of Ge and SiGe quantum dots under excimer laser annealing
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 242-245
Han GQ
;
Zeng YG
;
Yu JZ
;
Cheng BW
;
Yang HT
收藏
  |  
浏览/下载:86/2
  |  
提交时间:2010/03/08
Structural characterization of mn implanted AlInN
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 11, 页码: art. no. 115404
Majid A
;
Ali A
;
Zhu JJ
;
Wang YT
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浏览/下载:63/3
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提交时间:2010/03/08
ION-IMPLANTATION
Smaller Ge Quantum Dots Obtained by ArF Excimer Laser Annealing
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 4, 页码: 641-644
Zeng Yugang
;
Han Genquan
;
Yu Jinzhong
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/23
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