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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2021    专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 碳化硅功率MOSFET的工作状态对电离辐射损伤特性的影响研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2021 作者:  杨圣 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2021/08/27 SiC功率MOSFET  电离总剂量效应  高功率  开关频率  长期可靠性   一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法 专利 申请日期: 2021-01-12, 作者:  郑齐文;  崔江维;  李小龙;  魏莹;  余学峰 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2021/12/02 一种电路级总剂量辐射效应仿真方法 专利 申请日期: 2021-01-12, 作者:  郑齐文;  崔江维;  李小龙;  魏莹;  余学峰 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2021/12/02 10MeV质子辐射效应对基于8T-CMOS星敏感器性能影响研究（英文） 期刊论文 原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2135-2142 作者:  冯婕1,2;  李豫东1,2;  傅婧1,2,3;  文林1,2;  郭旗1,2 收藏  |  浏览/下载：155/0  |  提交时间：2022/03/07 时空数据  可视分析  网吧记录  共现群体   辐射导致CMOS图像传感器暗电流随机电报信号（英文） 期刊论文 原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2143-2150 作者:  刘炳凯1,2,3,4;  李豫东1,2,3;  文林1,2,3;  周东1,2,3;  郭旗1,2,3 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2022/03/07 CMOS图像传感器  位移损伤效应  电离总剂量效应  暗电流随机电报信号   增强型氮化镓功率器件的总剂量效应 期刊论文 微电子学, 2021, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 444-448 作者:  陈思远1,2,3;  于新1,2;  陆妩1,2;  王信1,2;  李小龙1,2 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2021/11/10 氮化镓功率器件  总剂量效应  低剂量率损伤增强效应   NCP6324B型集成式DC-DC电源变换器总剂量效应研究 期刊论文 固体电子学研究与进展, 2021, 卷号: 41, 期号: 5, 页码: 388-393 作者:  徐锐1,2;  周东1;  刘炳凯1,2;  李豫东1;  蔡娇1 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2021/11/29 电离总剂量效应  DC-DC电源变换器  输出电压  辐射损伤机理   不同温度辐照下栅控双极晶体管的总剂量效应参数退化研究（英文） 期刊论文 原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2183-2190 作者:  相传峰1,2;  李小龙1;  陆妩1,2;  王信1;  刘默寒1 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2022/01/25 温度效应  总剂量效应  界面陷阱电荷  GLPNP双极晶体管   高能质子辐照导致电荷耦合器件性能退化研究 期刊论文 现代应用物理, 2021, 卷号: 12, 期号: 3, 页码: 147-152 作者:  李钰1;  文林2;  周东2;  李豫东2;  郭旗2 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2021/11/29 高能质子  位移损伤效应  电荷耦合器件  非电离能损  热像素   8T CMOS图像传感器质子辐照效应研究（英文） 期刊论文 原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2128-2134 作者:  傅婧1,2,3;  李豫东1,2;  冯婕1,2;  文林1,2;  郭旗1,2 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2022/01/25 CMOS图像传感器  钳位光电二极管  质子辐照  电离总剂量  位移损伤剂量