×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
新疆理化技术研究所 [5]
内容类型
学位论文 [3]
期刊论文 [2]
发表日期
2020 [5]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
帮助
限定条件
发表日期:2020
专题:新疆理化技术研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
不同LET粒子对商用GaN功率器件可靠性的影响
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
陈思远
收藏
  |  
浏览/下载:45/0
  |  
提交时间:2020/11/19
氮化镓
辐射效应
单粒子
总剂量
可靠性
典型双极模拟电路ELDRS与SET协同效应研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
姚帅
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2020/11/19
双极模拟电路
单粒子瞬态
总剂量效应
低剂量率损伤增强效应
协同效应
变温辐照方法
仿真
22nm体硅FinFET总剂量效应及热载流子可靠性研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
王保顺
收藏
  |  
浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2020/11/19
鳍式场效应晶体管
总剂量效应
热载流子可靠性
偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响
期刊论文
辐射研究与辐射工艺学报, 2020, 卷号: 38, 期号: 5, 页码: 64-70
作者:
王利斌
;
王信
;
吴雪
;
李小龙
;
刘默寒
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2020/11/03
SiGe BiCMOS
偏置条件
电离总剂量
氧化物陷阱电荷
界面态
电离总剂量效应对4T CMOS图像传感器暗电流影响的数值仿真
期刊论文
数值计算与计算机应用, 2020, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 143-150
作者:
魏莹
;
文林
;
李豫东
;
郭旗
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2020/09/07
CMOS图像传感器
电离总剂量辐射效应
TCAD仿真
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace