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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2020    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 高温He离子辐照GH3535合金的损伤效应 期刊论文 原子能科学技术, 2020, 卷号: 54, 期号: 04, 页码: 688-695 作者:  陈倩;  张柯;  刘仁多;  付崇龙;  白菊菊 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2021/04/25 GH3535合金  He离子辐照  辐照硬化  氦泡   氙离子辐照后Hastelloy N合金的纳米硬度及其数值模拟 期刊论文 金属学报, 2020, 卷号: 56, 期号: 05, 页码: 753-759 作者:  刘继召;  黄鹤飞;  朱振博;  刘阿文;  李燕 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2021/04/25 辐照硬化  纳米压痕  VLM模型  数值模拟   双极器件LPNP辐照损伤效应的并行有限元数值模拟 期刊论文 系统仿真学报, 2020, 卷号: 32, 期号: 12, 页码: 2376-2382 作者:  王芹;  马召灿;  李鸿亮;  张林波;  卢本卓 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2021/04/26 Zlamal finite element  radiation damage effects  LPNP BJT  parallel simulation  Zlamal有限元  辐照损伤效应  LPNP晶体管  并行数值模拟   偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响 期刊论文 辐射研究与辐射工艺学报, 2020, 卷号: 38, 期号: 5, 页码: 64-70 作者:  王利斌;  王信;  吴雪;  李小龙;  刘默寒 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2020/11/03 SiGe BiCMOS  偏置条件  电离总剂量  氧化物陷阱电荷  界面态   0.18μm CMOS有源像素图像传感器质子辐照效应 期刊论文 红外与激光工程, 2020, 卷号: 49, 期号: 7, 页码: 183-188 作者:  蔡毓龙1,2,3;  李豫东1,3;  文林1,3;  冯婕3,1;  郭旗3,1 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/12/04 CMOS图像传感器  单粒子效应  累积辐射效应  质子   电离总剂量效应对4T CMOS图像传感器暗电流影响的数值仿真 期刊论文 数值计算与计算机应用, 2020, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 143-150 作者:  魏莹;  文林;  李豫东;  郭旗 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2020/09/07 CMOS图像传感器  电离总剂量辐射效应  TCAD仿真   空间光通信用耐辐照掺铒/铒镱共掺光纤研究进展 期刊论文 应用科学学报, 2020, 卷号: 38, 期号: 4, 页码: 579-594 作者:  折胜飞;  梅林;  周振宇;  侯超奇;  郭海涛 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/11/02 光通信  稀土掺杂光纤  耐辐照  色心  辐致损耗