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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2020    内容类型：期刊论文    专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响 期刊论文 辐射研究与辐射工艺学报, 2020, 卷号: 38, 期号: 5, 页码: 64-70 作者:  王利斌;  王信;  吴雪;  李小龙;  刘默寒 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/11/03 SiGe BiCMOS  偏置条件  电离总剂量  氧化物陷阱电荷  界面态   电离总剂量效应对4T CMOS图像传感器暗电流影响的数值仿真 期刊论文 数值计算与计算机应用, 2020, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 143-150 作者:  魏莹;  文林;  李豫东;  郭旗 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/09/07 CMOS图像传感器  电离总剂量辐射效应  TCAD仿真