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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2019    专题：湖南大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Short-Circuit Ruggedness and Failure Mechanisms of Si/SiC Hybrid Switch 期刊论文 IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: Vol.34 No.3, 页码: 2771-2780 作者:  Jun Wang;  Xi Jiang;  Zongjian Li;  Z. John Shen 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/13 MOSFET  Silicon carbide  Logic gates  Insulated gate bipolar transistors  Switches  Leakage currents  Silicon  Failure analysis  gate control  hybrid switch (HyS)  IGBT  short-circuit (SC)  Silicon Carbide (SiC) $\scriptscriptstyle{\text{MOSFET}}$   Gate Control Optimization of Si/SiC Hybrid Switch for Junction Temperature Balance and Power Loss Reduction 期刊论文 IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: Vol.34 No.2, 页码: 1744-1754 作者:  Wang, Jun;  Li, Zongjian;  Jiang, Xi;  Zeng, Cheng;  Shen, Z. John 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/13 Short-Circuit Ruggedness and Failure Mechanisms of Si/SiC Hybrid Switch 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS, 2019, 卷号: Vol.34 No.3, 页码: 2771-2780 作者:  Wang, J;  Jiang, X;  Li, ZJ;  Shen, ZJ 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/17 Gate Control Optimization of Si/SiC Hybrid Switch for Junction Temperature Balance and Power Loss Reduction 期刊论文 IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: Vol.34 No.2, 页码: 1744-1754 作者:  Jun Wang;  Zongjian Li;  Xi Jiang;  Cheng Zeng;  Z. John Shen 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/13 Switches  Insulated  gate  bipolar  transistors  Silicon  carbide  MOSFET  Logic  gates  Silicon  Gate  control  hybrid  switch  IGBT  junction  temperature  mosfet  power  loss  SiC   Gate Control Optimization of Si/SiC Hybrid Switch for Junction Temperature Balance and Power Loss Reduction 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS, 2019, 卷号: Vol.34 No.2, 页码: 1744-1754 作者:  Wang, J;  Li, ZJ;  Jiang, X;  Zeng, C;  Shen, ZJ 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/17 Gate control  hybrid switch  IGBT  junction temperature  MOSFET  power loss  SiC   Short-Circuit Ruggedness and Failure Mechanisms of Si/SiC Hybrid Switch 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS, 2019, 卷号: Vol.34 No.3, 页码: 2771-2780 作者:  Wang, J;  Jiang, X;  Li, ZJ;  Shen, ZJ 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/17 Failure analysis  gate control  hybrid switch (HyS)  IGBT  short-circuit (SC)  Silicon Carbide (SiC) MOSFET