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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2019    专题：山东大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Reactive evaporation of SiOx films for passivation of GaN high-electron-mobility transistors 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS, 2019, 卷号: 129, 页码: 54-60 作者:  Zhu, Gengchang;  Liang, Guangda;  Zhou, Yang;  Chen, Xiufang;  Xu, Xiangang 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/12/11 Reactive evaporation  SiOx  Passivation  GaN  HEMTs   Two-dimensional analytical model of AlGaN/GaN HEMTs with a etched algan barrier layer 期刊论文 2019 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, EDSSC 2019, 2019 作者:  Guo, Haijun;  Cao, Chao;  Duan, Baoxing 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/11 AlGaN/GaN HEMTs  Analytical model  Electric field modulation   Two-Dimensional Analytical Model of AlGaN/GaN HEMTs with a Ftched AlGaN Barrier Layer 会议论文 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), JUN 12-14, 2019 作者:  Guo, Haijun;  Cao, Chao;  Duan, Baoxing 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/31 AlGaN/GaN HEMTs  analytical model  electric field modulation