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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2018     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Controlled Growth of Heterostructured Ga/GaAs Nanowires with Sharp Schottky Barrier 期刊论文 CRYSTAL GROWTH & DESIGN, 2018, 卷号: 18, 期号: 8, 页码: 4438-4444 作者:  Wang, Zhou;  Wang, Ying;  Zhou, Xinyuan;  Yang, Zaixing;  Yin, Yanxue 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2018/10/11 Lateral Heterostructures Formed by Thermally Converting n-Type SnSe to p-Type SnSe 期刊论文 ACS Applied Materials & Interfaces, 2018, 卷号: Vol.10 No.15, 页码: 12831-12838 作者:  Zhen Tian;  Mingxing Zhao;  Xiongxiong Xue;  Wei Xia;  Chenglei Guo 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 STM  SnSe2  SnSe  in-plane p−n junction  atomically sharp interfaces  2D materials   Lateral Heterostructures Formed by Thermally Converting n-Type SnSe to p-Type SnSe 期刊论文 ACS Applied Materials and Interfaces, 2018, 卷号: Vol.10 No.15, 页码: 12831-12838 作者:  Tian, Z.;  Zhao, M.;  Xue, X.;  Xia, W.;  Guo, C. 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26 2D  materials  atomically  sharp  interfaces  in-plane  p-n  junction  SnSe  SnSe2  STM