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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410398357.X, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-03-30
作者: 王桂磊 ; 崔虎山; 殷华湘; 李俊峰; 朱慧珑
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| 发光部件、打印头、图像形成设备和半导体层层叠基板 专利
专利号: CN108780827A, 申请日期: 2018-11-09, 公开日期: 2018-11-09
作者: 近藤崇
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| 电注入硅基III-V族纳米激光器阵列的制备方法 专利
专利号: CN108736314A, 申请日期: 2018-11-02, 公开日期: 2018-11-02
作者: 李亚节; 周旭亮; 王梦琦; 王鹏飞; 孟芳媛
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| 鳍式场效应晶体管、鳍结构及其制造方法 专利
专利号: CN201410827222.0, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2016-07-20
作者: 钟汇才; 罗军; 赵超; 朱慧珑
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| 氮化物半导体发光器件及其制作方法 专利
专利号: CN108305918A, 申请日期: 2018-07-20, 公开日期: 2018-07-20
作者: 孙钱; 冯美鑫; 周宇; 高宏伟; 杨辉
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| III-V族半导体纳米线及其异质结的可控生长和性能表征 学位论文
北京: 中国科学院大学, 2018
作者: 季祥海
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| 基于III-V半导体纳米线光电探测器件的研究 学位论文
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者: 张凯
收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2018/06/04
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| 一种基于波导结构的新型光隔离器 专利
专利号: CN104280823B, 申请日期: 2018-04-27, 公开日期: 2018-04-27
作者: 李洵; 朱仲书
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| 包括抗谐振波导的混合激光器 专利
专利号: CN104205533B, 申请日期: 2018-03-30, 公开日期: 2018-03-30
作者: H·朴
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