QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2018     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A fast read retry method for 3D NAND flash memories using novel valley search algorithm 期刊论文 IEICE Electronics Express, 2018 作者:  Huo ZL(霍宗亮);  Xu QK(徐启康);  Wang Q(王颀);  Li QH(李前辉) 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/05/22 A 12V Low-Ripple and High-Efficiency Charge Pump with Continuous Regulation Scheme for 3D NAND Flash Memories 会议论文 作者:  Huo ZL(霍宗亮);  Huang CC(黄策策);  Fu LY(付丽银);  Liu F(刘飞);  Wang QQ(王乾乾) 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/16 Influences of total ionizing dose on single event effect sensitivity in floating gate cells 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 086103 作者:  Zhao, Pei-Xiong;  Liu, Tian-Qi;  Ye, Bing;  Luo, Jie;  Sun, You-Mei 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2018/10/08 flash memories  heavy ions  synergistic effect  total ionizing dose   Anomalous annealing of floating gate errors due to heavy ion irradiation 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2018, 卷号: 418, 页码: 80-86 作者:  Hou, Mingdong;  Zhao, Peixiong;  Luo, Jie;  Ji, Qinggang;  Ye, Bing 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2018/05/31 Annealing  Flash memories  Heavy ions  Multiple cell upsets  Radiation effects   DLV: Exploiting Device Level Latency Variations for Performance Improvement on Flash Memory Storage Systems 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON COMPUTER-AIDED DESIGN OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS, 2018, 卷号: 37, 页码: 1546-1559 作者:  Cui, Jinhua;  Zhang, Youtao;  Wu, Weiguo;  Yang, Jun;  Wang, Yinfeng 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/11/26 low-density parity-check code (LDPC)  Flash memories  retention age (RA)  raw bit error rate (RBER)  out-of-order scheduler  process variation (PV)   Improving Write Performance and Extending Endurance of Object-Based NAND Flash Devices 期刊论文 ACM TRANSACTIONS ON EMBEDDED COMPUTING SYSTEMS, 2018, 卷号: 17, 期号: 1,SI 作者:  Guo, Jie[1];  Min, Chuhan[2];  Cai, Tao[3];  Chen, Yiran[4] 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/24 NAND flash memories  write amplification  performance   Transparency Engineering in Quantum Dot-Based Memories 期刊论文 Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science, 2018, 卷号: 215, 期号: 13, 页码: 7 作者:  Arikan, I. F.;  Cottet, N.;  Nowozin, T.;  Bimberg, D. 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/09/17 band engineering  memory  quantum dots  resonant tunnel  resonant-tunneling current  dependence  Materials Science  Physics