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| 一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法 专利 申请日期: 2018-05-15, 作者: 崔江维; 郑齐文; 魏莹; 孙静; 余学峰![](/image/person.jpg)
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| 一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法 专利 申请日期: 2018-05-15, 公开日期: 2020-10-09 作者: 崔江维; 郑齐文; 魏莹; 孙静; 余学峰
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| 沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究 期刊论文 电子学报, 2018, 卷号: 46, 期号: 5, 页码: 1128-1132 作者: 崔江维; 郑齐文; 余德昭; 周航; 苏丹丹
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| 绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管中辐射导致的寄生效应研究 期刊论文 《物理学报》, 2018, 卷号: 67, 页码: 284-293 作者: 彭超[1,2]; 恩云飞[1]; 李斌[2]; 雷志锋[1]; 张战刚[1]
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| 溶液法制备金属氧化物薄膜晶体管的研究进展 期刊论文 《半导体技术》, 2018, 卷号: 43, 页码: 321-334 作者: 吴宝仔; 廖荣; 刘玉荣
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| 基于场效应晶体管结构的多功能有机光电器件研究 学位论文 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018 作者: 李东伟
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