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| 高电荷态Xe~(q+)(4≤q≤23)离子与Ni、GaAs、MgOAl_2O_3表面作用中可见光发射的研究 学位论文 中国科学院大学: 中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所), 2018 作者: 徐秋梅![](/image/person.jpg)
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| 硅基光波导芯片与垂直腔面发射激光器的封装结构 专利 专利号: CN208060764U, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2018-11-06 作者: 刘露露; 阮子良; 张浩; 温雪沁; 朱运涛
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| 一种半导体器件及其制造方法 专利 专利号: CN201410479915.5, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2016-04-13 作者: 唐兆云 ; 杨萌萌; 许静 ; 王红丽 ; 唐波![](/image/person.jpg)
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| 用牺牲金属催化剂直接在绝缘子上生成无迁移、无岩性、快速生长的模式CVD石墨烯 科技动态 2018 作者: yaoxn@llas.ac.cn
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2018/07/05 |
| 多孔六方氮化硼的调控制备与金属离子的吸附性能研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2018 作者: 张晶
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| 硅基光学相控阵的大角度二维光束扫描 学位论文 北京: 中国科学院大学, 2018 作者: 李中宇
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| 半导体装置及其制造方法 专利 专利号: CN201310630180.7, 申请日期: 2018-05-08, 公开日期: 2015-06-03 作者: 朱慧珑![](/image/person.jpg)
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| 基于石墨烯的拓扑光子晶体设计与研究 学位论文 北京: 中国科学院大学, 2018 作者: 宋紫东
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:57/0  |  提交时间:2018/05/31
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| 具有背向反射隔离器的集成激光器 专利 专利号: CN107820575A, 申请日期: 2018-03-20, 公开日期: 2018-03-20 作者: 郑学哲; A·V·克里什纳莫西; K·拉杰
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2020/01/18 |