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一种低电阻、低热阻的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法 专利
专利号: CN108718030A, 申请日期: 2018-10-30, 公开日期: 2018-10-30
作者:  孙钱;  冯美鑫;  周宇;  高宏伟;  杨辉
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基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片及制备方法 专利
专利号: WO2018184288A1, 申请日期: 2018-10-11, 公开日期: 2018-10-11
作者:  赵丽霞;  杨超;  刘磊
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一种高质量GaN薄膜及其制备方法 专利
专利号: CN108538977A, 申请日期: 2018-09-14, 公开日期: 2018-09-14
作者:  贾伟;  樊腾;  李天保;  仝广运;  董海亮
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一种具有纳米多孔GaN分布布拉格反射镜的InGaN基蓝光发光二极管的制备方法 专利
申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2018-09-11
作者:  肖洪地;  曹得重;  杨小坤
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横向多孔GaN及其光催化和谐振腔光电器件研究 学位论文
北京: 中国科学院大学, 2018
作者:  杨超
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一种大面积、高反射率氮化镓/纳米多孔氮化镓分布布拉格反射镜的制备方法 专利
专利号: CN107895690A, 申请日期: 2018-04-10, 公开日期: 2018-04-10
作者:  肖之光
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用Mg-Al(Mg-Ga)合金氮化法制备多孔AlN(GaN)粉末 学位论文
: 西安理工大学, 2018
作者:  寸敏敏
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