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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2018     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 碳化硅MOSFET器件及其制作方法 专利 专利号: CN201510574417.3, 申请日期: 2018-03-23, 公开日期: 2015-12-16 作者:  李诚瞻;  汤益丹;  申华军;  白云;  周静涛 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/03/07 面向高压大功率应用的SiC功率器件基本问题研究 学位论文 北京: 中国科学院半导体研究所, 2018 作者:  刘胜北 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2018/02/22 功率器件封装中铝线键合工艺的提升及可靠性研究 学位论文 2018 作者:  蒲文斌 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/11/26 MOSFET  可靠性实验  引线键合  参数优化   同步整流功率MOSFET特性及研究现状 期刊论文 微电子学, 2018, 卷号: 第3期, 页码: 390-394 作者:  任敏;  谢驰;  李佳驹;  李泽宏;  高巍 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/26 同步整流  功率MOSFET  功率损耗  导通电阻  体二极管