同步整流功率MOSFET特性及研究现状 | |
任敏; 谢驰; 李佳驹; 李泽宏; 高巍; 张金平; 张波 | |
刊名 | 微电子学 |
2018 | |
卷号 | 第3期页码:390-394 |
关键词 | 同步整流 功率MOSFET 功率损耗 导通电阻 体二极管 |
ISSN号 | 1004-3365 |
URL标识 | 查看原文 |
公开日期 | [db:dc_date_available] |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5457378 |
专题 | 湖南大学 |
作者单位 | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 任敏,谢驰,李佳驹,等. 同步整流功率MOSFET特性及研究现状[J]. 微电子学,2018,第3期:390-394. |
APA | 任敏.,谢驰.,李佳驹.,李泽宏.,高巍.,...&张波.(2018).同步整流功率MOSFET特性及研究现状.微电子学,第3期,390-394. |
MLA | 任敏,et al."同步整流功率MOSFET特性及研究现状".微电子学 第3期(2018):390-394. |
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