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| 减小顶栅石墨烯场效应晶体管欧姆接触的方法 专利
专利号: CN201610266868.5, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2016-07-20
作者: 史敬元 ; 彭松昂; 金智; 张大勇
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| 一种平面型IGBT结构的制备方法 专利
专利号: CN201310085579.1, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-06-04
作者: 卢烁今; 赵佳; 朱阳军; 陆江; 田晓丽
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| 一种抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件 专利
专利号: CN201721854675.8, 申请日期: 2018-10-19,
作者: 刘海南; 卜建辉; 陆江; 蔡小五; 罗家俊
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| 一种单原子层沉积技术生长含Ni薄膜的方法 专利
专利号: CN201610424181.X, 申请日期: 2018-10-16, 公开日期: 2016-10-12
作者: 丁玉强; 杜立永; 张羽翔; 赵超; 项金娟
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| 三维半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201510680212.3, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2016-02-24
作者: 叶甜春; 霍宗亮
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| 一种沟槽型IGBT结构的制作方法 专利
专利号: CN201310085577.2, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2014-06-04
作者: 赵佳; 朱阳军; 胡爱斌; 卢烁今
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| 一种功率器件的制备方法 专利
专利号: CN201310086257.9, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2014-06-04
作者: 吴振兴; 朱阳军; 田晓丽; 卢烁今
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| 一种半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410710028.4, 申请日期: 2018-08-10, 公开日期: 2016-06-22
作者: 唐兆云; 徐烨锋; 唐波; 王红丽; 许静
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| 包括带电荷体侧墙的半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201510746438.9, 申请日期: 2018-07-20, 公开日期: 2016-03-16
作者: 朱慧珑; 魏星
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| 一种霍尔基片结构及霍尔传感器 专利
专利号: CN201721830326.2, 申请日期: 2018-07-17,
作者: 陆江; 刘海南; 卜建辉; 张国欢; 罗家俊
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