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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2018    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 半导体器件及其制造方法 专利 专利号: CN201210293525.X, 申请日期: 2018-09-14, 公开日期: 2014-02-19 作者:  马小龙;  殷华湘;  付作振 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/03/22 一种MOSFET结构及其制造方法 专利 专利号: CN201310477078.8, 申请日期: 2018-06-19, 公开日期: 2015-04-29 作者:  尹海洲 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/03/21 隧穿场效应晶体管及其制造方法 专利 专利号: CN201310315051.9, 申请日期: 2018-01-30, 公开日期: 2015-02-11 作者:  朱正勇;  朱慧珑;  许淼 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/03/14