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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 发表日期：2018    专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 空间高能粒子对纳米器件栅介质可靠性影响的研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2018 作者:  马腾 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2018/07/06 金属氧化物半导体  辐射效应  可靠性  辐射诱导泄漏电流  介质经时击穿   高总剂量水平双极器件剂量率效应及加速评估试验方法的研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2018 作者:  李小龙 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2018/07/06 双极晶体管  剂量率效应  低剂量率损伤增强效应  损伤机制  变温加速评估方法   CMOS图像传感器在质子辐照下产生热像素的规律与机理研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2018 作者:  王田晖 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/07/06 Cmos图像传感器  热像素  质子辐照  位移损伤  暗信号   空间用四结键合太阳能电池子电池辐射效应研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2018 作者:  赵晓凡 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2018/07/06 四结键合太阳能电池  位移损伤  少子扩散长度  辐射效应   国产pnp双极晶体管在宽总剂量范围辐照下的ELDRS 期刊论文 半导体技术, 2018, 卷号: 43, 期号: 5, 页码: 369-374 作者:  魏昕宇;  陆妩;  李小龙;  王信;  孙静 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2018/06/13 国产pnp型双极晶体管  宽总剂量范围  低剂量率损伤增强效应(Eldrs)  辐射损伤  剂量率   γ射线及质子辐照导致CCD光谱响应退化的机制 期刊论文 发光学报, 2018, 卷号: 39, 期号: 2, 页码: 244-250 作者:  文林;  李豫东;  郭旗;  汪朝敏 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2018/03/13 电荷耦合器件  电离效应  位移损伤  光谱响应   典型模拟电路低剂量率辐照损伤增强效应的研究与评估 期刊论文 物理学报, 2018, 卷号: 67, 期号: 9, 页码: 202-209 作者:  李小龙;  陆妩;  王信;  郭旗;  何承发 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2018/09/12 双极模拟电路  低剂量率辐照损伤增强效应  加速评估方法   双极电压比较器高低剂量率辐照损伤特性 期刊论文 核技术, 2018, 卷号: 41, 期号: 9, 页码: 13-19 作者:  贾金成;  李小龙;  陆妩;  孙静;  王信 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2018/10/18 双极电压比较器  60Co-γ辐照  剂量率影响   发射极尺寸对双多晶自对准双极晶体管剂量率效应的影响 期刊论文 核技术, 2018, 卷号: 41, 期号: 11, 页码: 48-52 作者:  刘默寒;  陆妩;  贾金成;  施炜雷;  王信 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2020/03/25 双多晶自动准  NPN晶体管  发射极尺寸  剂量率效应