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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2017     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Modulation of interfacial and electrical properties of HfGdO/GaAs gate stacks by ammonium sulfide passivation and rapid thermal annealing 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 704, 期号: 无, 页码: 322-328 作者:  Jiang, S. S.;  He, G.;  Liang, S.;  Zhu, L.;  Li, W. D. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/07/04 High-k Gate Dielectrics  Interface Chemistry  Xps Electrical Properties  Cmos Devices   Total Dose Effects and Bias Instabilities of (NH4)(2)S Passivated Ge MOS Capacitors With HfxZr1-xOy Thin Films 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2017, 卷号: 64, 页码: 2913-2921 作者:  Mu, Yifei;  Fang, Yuxiao;  Zhao, Ce Zhou;  Zhao, Chun;  Lu, Qifeng 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/26 germanium  HfxZr1-xOy  interface traps  total dose effect  oxide trapped charges   Abnormal Recovery Phenomenon Induced by Hole Injection During Hot Carrier Degradation in SOI n-MOSFETs 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017 Lu, Ying-Hsin; Chang, Ting-Chang; Chen, Li-Hui; Lin, Yu-Shan; Liu, Xi-Wen; Liao, Jih-Chien; Lin, Chien-Yu; Lien, Chen-Hsin; Chang, Kuan-Chang; Zhang, Sheng-Dong 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 Hole injection  hot carrier  impact ionization  abnormal recovery  P-MOSFETS