QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2017     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 专利 专利号: CN201410643283.1, 申请日期: 2017-06-20, 公开日期: 2015-03-11 作者:  汤益丹;  白云;  申华军;  霍瑞彬;  刘新宇 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2018/02/07 γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究 学位论文 北京: 中国科学院大学, 2017 作者:  苏丹丹 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/09/26 Mosfet  Tddb  辐射效应  可靠性   γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2017 作者:  苏丹丹 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/09/26 Mosfet  Tddb  辐射效应  可靠性   纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法 期刊论文 固体电子学研究与进展, 2017, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 433-437 作者:  崔江维;  郑齐文;  余徳昭;  周航;  苏丹丹 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2018/01/18 纳米器件  P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管  负偏压温度不稳定性   声呐发射机中D类功率放大器的设计 期刊论文 电声技术, 2017, 期号: 2 作者:  车贺宾;  江鹏 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/05 声呐发射机  半桥电路  MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)