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| 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 专利 专利号: CN201410643283.1, 申请日期: 2017-06-20, 公开日期: 2015-03-11 作者: 汤益丹 ; 白云 ; 申华军 ; 霍瑞彬; 刘新宇![](/image/person.jpg)
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| 薄膜晶体管结构可见盲光电探测器及其制备方法 专利 专利号: CN106876515A, 申请日期: 2017-06-20, 公开日期: 2017-06-20 作者: 曹鸿涛; 余静静; 梁凌燕; 张莉莉; 吴卫华
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| γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究 学位论文 北京: 中国科学院大学, 2017 作者: 苏丹丹
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| γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2017 作者: 苏丹丹
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2017/09/26
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| 喷墨印刷制备金属氧化物半导体点阵及薄膜晶体管研究 学位论文 合肥: 中国科学技术大学, 2017 作者: 吴绍静
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2018/02/27 |
| 纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法 期刊论文 固体电子学研究与进展, 2017, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 433-437 作者: 崔江维; 郑齐文; 余徳昭; 周航; 苏丹丹
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| 声呐发射机中D类功率放大器的设计 期刊论文 电声技术, 2017, 期号: 2 作者: 车贺宾; 江鹏
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2019/12/05
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