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基于多层二维材料异质结的量子级联激光器 专利
专利号: CN107017556A, 申请日期: 2017-08-04, 公开日期: 2017-08-04
作者:  严辉;  刘北云;  张永哲;  崔阿娟;  杨炎翰
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生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片 专利
专利号: CN206271710U, 申请日期: 2017-06-20, 公开日期: 2017-06-20
作者:  李国强;  高芳亮;  温雷;  张曙光;  徐珍珠
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一种氮化物外延片的生长方法及氮化镓激光器 专利
专利号: CN106868472A, 申请日期: 2017-06-20, 公开日期: 2017-06-20
作者:  王文杰;  龙衡;  李俊泽;  李沫;  张健
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基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法和氮化镓激光器 专利
专利号: CN106868596A, 申请日期: 2017-06-20, 公开日期: 2017-06-20
作者:  王文杰;  李俊泽;  龙衡;  李沫;  张健
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生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片及其制备方法 专利
专利号: CN106783948A, 申请日期: 2017-05-31, 公开日期: 2017-05-31
作者:  李国强;  高芳亮;  温雷;  张曙光;  徐珍珠
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正向晶格失配三结GaAs太阳电池辐射效应研究 学位论文
北京: 中国科学院大学, 2017
作者:  李占行
收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2017/09/26
正向晶格失配三结GaAs太阳电池辐射效应研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2017
作者:  李占行
收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2017/09/26
AlN材料外延技术及其应用研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
杜泽杰
收藏  |  浏览/下载:106/0  |  提交时间:2017/05/27
一种GaN基异质结绿光激光器件 专利
专利号: CN205901069U, 申请日期: 2017-01-18, 公开日期: 2017-01-18
作者:  王辉;  王冰;  赵洋;  李新忠;  王静鸽
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1 MeV电子辐照下晶格匹配与晶格失配GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池辐射效应研究 期刊论文
发光学报, 2017, 卷号: 38, 期号: 4, 页码: 463-469
作者:  李占行;  艾尔肯·阿不都瓦衣提;  玛丽娅·黑尼;  方亮;  高伟;  高慧;  孟宪松;  郭旗;  郭旗
收藏  |  浏览/下载:39/0  |  提交时间:2017/05/12


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