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| 基于多层二维材料异质结的量子级联激光器 专利 专利号: CN107017556A, 申请日期: 2017-08-04, 公开日期: 2017-08-04 作者: 严辉; 刘北云; 张永哲; 崔阿娟; 杨炎翰 收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片 专利 专利号: CN206271710U, 申请日期: 2017-06-20, 公开日期: 2017-06-20 作者: 李国强; 高芳亮; 温雷; 张曙光; 徐珍珠 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 一种氮化物外延片的生长方法及氮化镓激光器 专利 专利号: CN106868472A, 申请日期: 2017-06-20, 公开日期: 2017-06-20 作者: 王文杰; 龙衡; 李俊泽; 李沫; 张健 收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法和氮化镓激光器 专利 专利号: CN106868596A, 申请日期: 2017-06-20, 公开日期: 2017-06-20 作者: 王文杰; 李俊泽; 龙衡; 李沫; 张健 收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片及其制备方法 专利 专利号: CN106783948A, 申请日期: 2017-05-31, 公开日期: 2017-05-31 作者: 李国强; 高芳亮; 温雷; 张曙光; 徐珍珠 收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| 正向晶格失配三结GaAs太阳电池辐射效应研究 学位论文 北京: 中国科学院大学, 2017 作者: 李占行 收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2017/09/26
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| 正向晶格失配三结GaAs太阳电池辐射效应研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2017 作者: 李占行 收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2017/09/26
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| AlN材料外延技术及其应用研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017 杜泽杰 收藏  |  浏览/下载:106/0  |  提交时间:2017/05/27
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| 一种GaN基异质结绿光激光器件 专利 专利号: CN205901069U, 申请日期: 2017-01-18, 公开日期: 2017-01-18 作者: 王辉; 王冰; 赵洋; 李新忠; 王静鸽 收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 1 MeV电子辐照下晶格匹配与晶格失配GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池辐射效应研究 期刊论文 发光学报, 2017, 卷号: 38, 期号: 4, 页码: 463-469 作者: 李占行; 艾尔肯·阿不都瓦衣提; 玛丽娅·黑尼; 方亮; 高伟; 高慧; 孟宪松; 郭旗; 郭旗 收藏  |  浏览/下载:39/0  |  提交时间:2017/05/12
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