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| 一种晶界改性制备高性能Y基稀土永磁体的方法 专利
专利号: CN107134360A, 申请日期: 2017-09-05, 公开日期: 2017-09-05
作者: 范晓东; 郭帅; 陈侃; 丁广飞; 陈仁杰
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| Method of anatomical resection of the parotid gland in respect of benign tumors 专利
专利号: BY21250C1, 申请日期: 2017-08-30, 公开日期: 2017-08-30
作者: BAZYK-NOVIKOVA OL'GA MIKHAYLOVNA; LYUDCHIK TATYANA BORISOVNA; LYANDRES IL'YA GIRSHOVICH
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| 一种基于GA_PSO优化GRNN网络算法的叶根强度安全特性预测方法 专利
申请日期: 2017-07-28,
作者: 谢永慧; 孙磊; 刘天源; 张荻
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| Ultra long lifetime gallium arsenide 专利
专利号: US9704706, 申请日期: 2017-07-11, 公开日期: 2017-07-11
作者: SCHUNEMANN, PETER G.; ZAWILSKI, KEVIN T.
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| 一种钕铁硼永磁材料的制备方法 专利
专利号: CN106920612A, 申请日期: 2017-07-04, 公开日期: 2017-07-04
作者: 宋杰; 郭帅; 曾基灵; 陈仁杰; 闫阿儒
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| 一种基于梯度叠层缓冲层薄膜的外延生长Alm<-sub>Ga1<-sub>‑m<-sub>N的方法 专利
专利号: CN106920739A, 申请日期: 2017-07-04, 公开日期: 2017-07-04
作者: 郭炜; 叶继春; 黄峰; 李俊梅; 孟凡平
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| Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器 专利
专利号: CN104638517B, 申请日期: 2017-07-04, 公开日期: 2017-07-04
作者: 唐吉龙; 魏志鹏; 方铉; 房丹; 高娴
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| Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器 专利
专利号: CN104638517B, 申请日期: 2017-07-04, 公开日期: 2017-07-04
作者: 唐吉龙; 魏志鹏; 方铉; 房丹; 高娴
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| 一种发光材料、其制备方法及应用 专利
专利号: CN106833627A, 申请日期: 2017-06-13, 公开日期: 2017-06-13
作者: 罗朝华; 蒋俊; 江浩川; 张继云; 刘永福
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| Method and system for epitaxy processes on miscut bulk substrates 专利
专利号: US9653650, 申请日期: 2017-05-16, 公开日期: 2017-05-16
作者: CHAKRABORTY, ARPAN; GRUNDMANN, MICHAEL; TYAGI, ANURAG
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