| Method and system for epitaxy processes on miscut bulk substrates | |
| CHAKRABORTY, ARPAN; GRUNDMANN, MICHAEL; TYAGI, ANURAG | |
| 2017-05-16 | |
| 著作权人 | SORAA, INC. |
| 专利号 | US9653650 |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Method and system for epitaxy processes on miscut bulk substrates |
| 英文摘要 | A method for providing (Al,Ga,In)N thin films on Ga-face c-plane (Al,Ga,In)N substrates using c-plane surfaces with a miscut greater than at least 0.35 degrees toward the m-direction. Light emitting devices are formed on the smooth (Al,Ga,In)N thin films. Devices fabricated on the smooth surfaces exhibit improved performance. |
| 公开日期 | 2017-05-16 |
| 申请日期 | 2016-01-11 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38677]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SORAA, INC. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | CHAKRABORTY, ARPAN,GRUNDMANN, MICHAEL,TYAGI, ANURAG. Method and system for epitaxy processes on miscut bulk substrates. US9653650. 2017-05-16. |
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