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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2016     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A 0.5-v novel complementary current-reused cmos lna for 2.4 ghz medical application 期刊论文 Microelectronics journal, 2016, 卷号: 55, 页码: 64-69 作者:  Dai, Ruofan;  Zheng, Yunlong;  He, Jun;  Liu, Guojun;  Kong, Weiran 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/09 Low voltage  Lna  Modified complementary current-reused  Diode connected mosfet bias  Forward body-bias  Harmonic rejection   Low-Power CMOS Power Amplifier for 3.1–10.6 GHz Ultra-Wideband Transmitter 期刊论文 IETE Journal of Research, 2016, 卷号: Vol.62 No.1, 页码: 113-119 作者:  Du, Sichun;  Zhu, Xionghui;  Yin, Hongxia;  Huang, Wenbin 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/31 common-gate (CG)  forward body bias  low power  Power amplifier (PA)  ultra-wideband (UWB)   A process-variation-resilient methodology of circuit design by using asymmetrical forward body bias in 28 nm FDSOI 期刊论文 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2016, 卷号: 64, 页码: 26-30 作者:  Wang, Y.;  Cai, H.;  Naviner, L. A. B.;  Zhao, X. X.;  Zhang, Y. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/30 Process variation  Variability analysis  Magnetic flip-flop  Asymmetrical forward body bias  FDSOI   A process-variation-resilient methodology of circuit design by using asymmetrical forward body bias in 28 nm FDSOI 会议论文 27th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF), Halle, GERMANY, 2016-09-01 作者:  Wang, Y.;  Cai, H.;  Naviner, L. A. B.;  Zhao, X. X.;  Zhang, Y. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/30 Process variation  Variability analysis  Magnetic flip-flop  Asymmetrical forward body bias  FDSOI