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科研机构
北京大学 [2]
过程工程研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2016 [3]
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发表日期:2016
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Diameter Dependence of Planar Defects in InP Nanowires
期刊论文
SCIENTIFIC REPORTS, 2016, 卷号: 6, 期号: SEP, 页码: 32910
作者:
Wang, Fengyun
;
Wang, Chao
;
Wang, Yiqian
;
Zhang, Minghuan
;
Han, Zhenlian
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提交时间:2016/11/21
Controlled-Direction Growth of Planar InAsSb Nanowires on Si Substrates without Foreign Catalysts
期刊论文
NANO LETTERS, 2016
Du, Wenna
;
Yang, Xiaoguang
;
Pan, Huayong
;
Ji, Xianghai
;
Ji, Haiming
;
Luo, Shuai
;
Zhang, Xingwang
;
Wang, Zhanguo
;
Yang, Tao
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2017/12/03
Planar nanowire
InAsSb
growth direction
HRTEM
CAFM
INDIUM-PHOSPHIDE NANOWIRES
III-V NANOWIRES
BUILDING-BLOCKS
GAAS NANOWIRES
GUIDED GROWTH
SEEDED GROWTH
DEFECT-FREE
VLS GROWTH
SILICON
TRANSISTORS
Electronic structures of [111]-oriented free-standing InAs and InP nanowires
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 2016
Liao, Gaohua
;
Luo, Ning
;
Chen, Ke-Qiu
;
Xu, H. Q.
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提交时间:2017/12/03
semiconductor nanowire
band structure
InAs
InP
spin-orbit interaction
tight-binding method
INDIUM-PHOSPHIDE NANOWIRES
BIAS CONDUCTANCE PEAK
CORE-SHELL NANOWIRES
TOPOLOGICAL SUPERCONDUCTOR
MAJORANA FERMIONS
HYBRID DEVICE
SOLAR-CELLS
SEMICONDUCTORS
HETEROSTRUCTURES
ZINCBLENDE
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