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内容类型
期刊论文 [21]
发表日期
2016 [21]
学科主题
光电子学 [4]
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发表日期:2016
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XPS study of impurities in Si-doped AlN film
期刊论文
SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS, 2016, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: 1305-1309
作者:
Liang, F.
;
Chen, P.
;
Zhao, D. G.
;
Jiang, D. S.
;
Zhao, Z. J.
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2017/01/18
AlN
XPS
MOCVD
Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD
期刊论文
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2016, 卷号: 122, 期号: 9
作者:
Liang, F.
;
Chen, P.
;
Zhao, D. G.
;
Jiang, D. S.
;
Zhao, Z. J.
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2016/12/29
The relationship between microstructure and flexural strength of pressureless liquid phase sintered SiC ceramics oxidized at elevated temperatures
期刊论文
CERAMICS INTERNATIONAL, 2016, 卷号: 42, 期号: 11, 页码: 13256-13261
作者:
Liang, Hanqin
;
Yao, Xiumin
;
Huang, Zhengren
;
Zeng, Yuping
;
Su, Bizhe
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2017/02/24
SiC
Liquid phase sintering
Oxidation
Microstructure
Effect of sintering techniques on the microstructure of liquid-phase-sintered SiC ceramics
期刊论文
JOURNAL OF THE EUROPEAN CERAMIC SOCIETY, 2016, 卷号: 36, 期号: 8, 页码: 1863-1871
作者:
Liang, Hanqin
;
Yao, Xiumin
;
Huang, Zhengren
;
Zeng, Yuping
;
Su, Bizhe
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2017/02/27
SiC
Liquid-phase sintering
Hot pressing sintering
Spark plasma sintering
Microstructure
Porous AlN with a Low Dielectric Constant Synthesized Based on the Physical Vapor Transport Principle
期刊论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2016, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 3263-3267
作者:
Wang, Hua-Jie
;
Liu, Xue-Chao
;
Kong, Hai-Kuan
;
Xin, Jun
;
Gao, Pan
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2017/02/27
Porous aluminum nitride
physical vapor transport
thermal conductivity
low dielectric constant
Observation of positive and small electron affinity of Si-doped AlN films grown by metalorganic chemical vapor deposition on n-type 6H-SiC
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2016, 卷号: 25, 期号: 5
作者:
Liang, Feng
;
Chen, Ping
;
Zhao, De-Gang
;
Jiang, De-Sheng
;
Zhao, Zhi-Juan
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2017/01/23
AlN
electron affinity
photoelectron spectroscopy
metalorganic chemical vapor deposition
First-principles calculations for point defects in MAX phases Ti2AlN
期刊论文
MODERN PHYSICS LETTERS B, 2016, 卷号: 30, 页码: 6
作者:
Zhang, Yaowen
;
Yang, Shutong
;
Wang, Canglong
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2018/05/31
Ti2AlN
vacancy
first-principles calculations
Effects of Si-doping on field emission characteristics of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD
期刊论文
Materials Technology, 2016
作者:
Liang, F.
;
Chen, P.
;
Zhao, D.G.
;
Jiang, D.S.
;
Liu, Z.S.
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2017/03/11
Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD
期刊论文
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2016, 卷号: 122, 期号: 9
作者:
Liang, F
;
Chen, P
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhao, ZJ
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2017/03/11
Investigation of breakdown mechanism during field emission process of AlN thin film microscopic cold cathodee
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 卷号: 34, 期号: 1
作者:
Liang, F
;
Chen, P
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2017/03/11
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