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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2016    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 IGBT感性负载关断下电压变化率的建模与仿真研究 期刊论文 物理学报, 2016 作者:  沈千行;  张广银;  杨飞;  腾渊;  田晓丽 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2017/05/11 一种SOI MOS器件闪烁噪声的测试设备及测试方法 专利 专利号: CN201410031166.X, 申请日期: 2016-07-06, 公开日期: 2014-05-14 作者:  韩郑生;  曾传滨;  毕津顺;  卜建辉;  李书振 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2017/06/01