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一种紫外固体激光器 专利
专利号: CN204885817U, 申请日期: 2015-12-16, 公开日期: 2015-12-16
作者:  肖旭辉;  周勇;  崔晓敏
收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2019/12/24
InGaN/GaN量子阱太阳能电池研究进展 期刊论文
2015
赖萌华; 张保平
收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2016/05/17
GaN基半导体光伏电池的制备和特性研究 期刊论文
2015
蔡晓梅; 张江勇; 吕雪芹; 应磊莹; 张保平
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2016/05/17
Structural damage in InGaN induced by MeV heavy ion irradiation 期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2015, 卷号: 356, 期号: 356, 页码: 53-56
作者:  Zhang, L. M.;  Zhang, C. H.;  Wang, T. S.;  Zhao, J. T.;  Hu, P.
收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2015/10/15
Laser package having multiple emitters configured on a support member 专利
专利号: US20150211724A1, 申请日期: 2015-07-30, 公开日期: 2015-07-30
作者:  GOUTAIN, ERIC;  RARING, JAMES W.;  RUDY, PAUL;  HUANG, HUA
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/31
具有非对称Al组分AlGaN限制层的氮化镓基激光器 专利
专利号: CN104734015A, 申请日期: 2015-06-24, 公开日期: 2015-06-24
作者:  陈平;  赵德刚;  朱建军;  刘宗顺;  江德生
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Influence of electron distribution on efficiency droop for gan-based light emitting diodes 期刊论文
Journal of solid state lighting, 2015, 卷号: 2, 期号: 1
作者:  Fu,Jiajia;  Zhao,Lixia;  Zhang,Ning;  Wang,Junxi;  Li,Jinmin
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Efficiency enhancement of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2015
作者:  Deng Z(邓震);  Jiang Y(江洋)
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2016/05/31
一种GaN基HEMT和LD单片集成的直接调制半导体激光器结构 专利
专利号: CN104377547A, 申请日期: 2015-02-25, 公开日期: 2015-02-25
作者:  王智勇;  吕朝蕙;  王清;  尧舜;  郑建华
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/31
Efficiency enhancement of InGaN/GaN multiple quantum wells with graphene layer 期刊论文
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2015, 卷号: 119, 期号: 4, 页码: 1209
Deng, Z; Li, ZS; Jiang, Y; Ma, ZG; Fang, YT; Li, YF; Wang, WX; Jia, HQ; Chen, H
收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2016/12/26


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