×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
大连理工大学 [3]
微电子研究所 [1]
内容类型
会议论文 [2]
学位论文 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
2015 [4]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
帮助
限定条件
发表日期:2015
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Investigation of fused silica glass etching using C4F8/Ar inductively coupled plasmas for through glass via(TGV)applications
期刊论文
Microsyst Technol, 2015
作者:
林来存
;
王启东
;
靖向萌
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2016/06/02
C4F8/AR混合气体刻蚀SiO2的多目标优化研究
会议论文
2015中国力学大会, 上海, 2015-08-16
作者:
刘佳
;
阎军
;
戴忠玲
;
宋亦旭
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2019/12/09
Atomic layer etching of SiO2 under Ar/C4F8 plasmas with pulsed bias
会议论文
The joint 68th Gaseous Electronics Conference, the 9th International Conference on Reactive Plasmas, and the 33rd Symposium on Plasma Processing (GEC-68/ICRP-9/SPP-33)
作者:
Dai ZL(戴忠玲)
;
Wang YN(王友年)
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2019/12/09
C4F8/Ar等离子体蚀刻蚀SiO2的多尺度研究
学位论文
: 大连理工大学, 2015
作者:
眭佳星
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/12/09
等离子体刻蚀
多尺度模型
鞘层特性
刻蚀剖面演化
超大规模集成电路
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace